英语缩略词“NBE”经常作为“Near Band Edge”的缩写来使用,中文表示:“近带边”。本文将详细介绍英语缩写词NBE所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词NBE的分类、应用领域及相关应用示例等。
以上为Near Band Edge的英文缩略词NBE的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
The room-temperature photoluminescence spectrum of the ZnO ∶ F film showed a strong near band edge ultraviolet emission located at 379 nm with a narrow pnewidth of 73 meV and a very weak visible emission associated with deep level defects.
对ZnO∶F薄膜的室温光致发光谱可以观察到位于379nm、半峰全宽为73meV的紫外发射峰,而相应于缺陷的深能级发射则完全猝灭。
Gate Charge Relaxation Mechanism of MOS Structure with Zero Biased Source and Transient Spectroscopic Measurement of Si / SiO_2 Interface State Distribution near Minority Carrier Band Edge
零偏源MOS结构的栅电荷弛豫机制及近少子带边界面态分布的瞬态谱测定
上述内容是“Near Band Edge”作为“NBE”的缩写,解释为“近带边”时的信息,以及英语缩略词NBE所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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